SK Hynic今年將會量產36層堆疊的3D NAND及16nm TLC

DIYPC電腦達人

Samsung在2014年嬴了全球SSD市場,Intel、Sandisk、Micron、Toshiba也位列前五,唯獨SK Hynix位列第十,SSD營收比Seagate、WD還低。不僅是NAND Flash,就連RAM產業,SK Hynix也被Samsung遠遠甩在了後面,現在SK Hynix準備奮發圖強,今年量產36層堆疊的3D NAND Flash,還有16nm工藝的TLC NAND Flash,DRAM也加速推進10nm工藝。

Samsung這兩年獲得更高的NAND及DRAM市場佔有率主要是靠技術推動,他們去年就率先量產了V-NAND技術的3D NAND Flash,Samsung之外的其他公司要到今年才開始生產。SK Hynix表示他們去年成功開發了24層堆疊的3D NAND Flash,今年也準備大規模量產3D NAND Flash了,首次量產的則是36層堆疊的3D NAND Flash,今年底還會準備48層堆疊的3D NAND Flash量產工作。

Samsung量產的V-NAND Flash是32層堆疊的,不過今年下半年也準備量產48層堆疊的,Intel/Micron公佈的3D NAND閃存也是32層堆疊的,更多層堆疊的也在研究之中了。Toshiba、Sandisk也在日本四日市新建Fab 2工廠,預計2016年才會大規模量產3D NAND Flash。

除了3D NAND Flash,SK Hynix也會繼續加強傳統的平面 NAND Flash,很快會推出16nm TLC NAND Flash,並在Q2季度將TLC NAND Flash產能提升到10%的比例,今年底達到40%的比例。此外,Q3季度他們還會推出16nm TLC NAND Flash的SSD,並會把TLC SSD的比例提升到20-30%。

RAM方面,三星的20nm工藝已經大規模量產了,SK Hynix還需要不斷提升產品。位於韓國京畿道省利川市的M14 DRAM晶圓廠已進入最終階段,半導體設備已經準備好了,預計從年底開始運營。一旦開始正式生產,其產能將達到每月1.5萬片晶圓。

不過SK Hynix在技術上還有點落後,他們預計要到明年6月份才能提供10nm工藝的DRAM樣本,而三星已經準備量產10nm工藝DRAM了。


科技資訊由熱新聞提供
原文連結: SK Hynic今年將會量產36層堆疊的3D NAND及16nm TLC

更多相關內容